碳化硅的厚度范圍?可以從幾微米到幾毫米不等，具體取決于其應用場景和制造工藝。例如，碳化硅晶圓片的厚度可以達到130微米（um），而碳化硅顆粒的尺寸則有1-3mm...

非接觸式半絕緣方阻測量技術可以廣泛應用于各種領域,比如材料表面導電性測試、薄膜導電性測量、電路板測試等。它具有測量快速、精度高、不損傷被測物體等優點。

隨著光伏產業的迅猛發展，生產效率和產品質量的提升已成為行業關注的焦點。在光伏電池片的生產中，方阻檢測是確保電池片質量和性能的關鍵環節之一。傳統的方阻檢測方法大多...

外延電阻率方阻測試儀：外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中，硅片最底層是P型襯底硅（有的加點埋層）；然后在襯底上生長一層單晶硅，這層單晶硅稱為外延...

襯底電阻率方阻測試儀：襯底，或稱基片（substrate），是指在半導體器件制造過程中用來支持其他材料或結構的底層材料。襯底的物理性質包括其晶體結構、機械強度、...

玻璃方阻測試儀應用ITO導電玻璃的時候，往往會提到一個重要的參數，這個參數就是：方阻，也稱方塊電阻。同時，我們也可以將其理解為ITO的表面電阻率。

氮化鎵電阻率方阻測試儀：氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極...

晶圓電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，...

我司憑借先進的技術和豐富的產品線，已發展成為中國大陸少數具有一定國際競爭力的半導體專用設備提供商，主營非接觸方阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測...

主營產品：晶圓方阻測試儀、晶圓電阻率測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測試儀，少子壽命測試儀，測試硅片，碳化硅、科...